，倒也讓龍騰一干技術人員咋舌不已，原來以前真的是坐井觀天了。 很多人在加入龍騰科技前，在國家的什麼叉叉研究所，那條件，實在是。 雖然**時期中國的半導體產業曾經一度拉小自己跟世界先進國家的差距。 可是就像中國造原子彈一樣，都是在極其簡陋的環境中生產過來的實驗室產品，對於這種大規模應用，造出來地東西就嚴重的缺乏市場競爭力。

“好啦，時間也差不多過去了兩個小時了，頭兒吩咐給我的是三個小時。 你們說說還想了解一些什麼技術和裝置？”雖然說心理有點不耐煩，但小白還是有點職業道德的，所以對於自己上司說的三個小時那是絕對不敢打折扣的。

張國棟他們稍微地討論了一下，最後還是由張國棟決定看微影得了，畢竟有的東西可能讓他們看到了Intel也不會說明，張國棟還沒有神奇到只需要看一眼就知道相關技術，他知道這麼多還是前世他當Intel的技術指導時乘機瞭解的，但他也不是萬能的啊。

“OK，你們選擇了微影，那麼接下來我會分為五塊來介紹它。 第一塊兒自然是正負光阻了。 其實微影光蝕刻術起源於照相製版的技術。 這個我就不多作介紹。 相信很多資料上面都可以查詢得到。 自1970年起，微影光蝕刻術開始大量使用於半導體制程之圖形轉寫複製中。 原理在我們現在看來是特別簡單的。 利用對紫外線敏感之聚合物，或所謂光阻之受曝照與否，來定義該光阻在顯影液中是否被蝕除，而最終留下與遮掩罩幕，即光罩（mask）相同或明暗互補之圖形；相同者稱之正光阻，明暗互補者稱之負光阻（negative　resist）。 一般而言，正光阻，其解析度及邊緣垂直度均佳，但易變質，儲存期限也較短，大約半年到一年之間，常用於學術或研發單位；而負光阻之邊緣垂直度較差，但可儲存較久，常為半導體業界所使用。 當然我這也只是一個建議，至於具體要如何用，當然得看你們自己了。 第二塊兒就是我剛剛提到過的光罩。

光罩製作，是微影的關鍵技術之一。 光罩製作的方式已經經過了幾十年地演進。 最開始地時候是由解析度極差的縮影機技術，改良為直接以計算機輔助設計製造軟體控制地雷射束或電子束書寫機，在具光阻之石英玻璃　板上進行書寫　（曝光），解析度　（最小線寬）　也改進到微米的等級。 當然我們也得感謝軟體技術地發展。 據我所知，張先生的公司也是世界上最出名的獨立軟體公司之一吧。 ”開來小白同志也不是完全的小白，好歹他還是知道這是由在Intel獲得廣泛尊敬的虞有程先生介紹過來的，得罪人也不能得罪得太狠，幸虧那還用過壓縮軟體，知道面前這位就是壓縮霸王的掌門人，不大不小地拍了個馬匹。

雖然人家表揚的是軟體事業部地同仁。 和他們硬體事業部扯不上半點關係，但好歹也是一個公司的。 被打擊了這麼久，好不容易勃起一回，這些傢伙終於是驕傲的昂起了頭，連幾個老傢伙都一樣，這也讓張國棟不由得苦笑起來，這些傢伙啊，真是給了一點陽光就燦爛。

“第三塊兒就是對準機了。 其實　在學術或研發單位中。 電路上佈局是非常簡易的，一套電路佈局可全部寫在一片光罩中，甚至可以多次多重複。 加上加上學術上使用矽晶圓尺寸較小，配合使用的光罩本來就不大。 所以搭配使用的矽晶圓曝光機臺為一般的光罩對準機，而且據我們Intel自己地研發人員說效果還是蠻不錯的。 當然，換句話說，一片晶圓只需一次對準曝光，便可進行之後的顯影及烤乾程式。 當然只是一種簡化的程式和步驟，但是效果還是很不錯的。 不過在我們業界中，使用的晶圓那要比學術上的大得多，學術上用的晶圓片幾乎就是我們地下腳料。 當然，光罩的大小一般是固定化的，我們不可能任意造出5寸或11寸大小的光罩來進行對準曝光：一來電子束書寫機在製備這樣大的光罩時。 會耗損巨量的時間，極不划算；二來，大面積光罩進行光蝕刻曝光前必須要與晶圓對準，要知道大面積精密定位及防震等問題，在業界看來是極為棘手地，為此所耗費的花費也是極大和極不划算的！所以我們工業界一般採用步進機進行對準曝光；也就是說，即使晶圓大到6寸或8寸，但光罩大小還是隻需要小小的1~2寸見方。 這樣做有明顯的優點，一來光罩製備快速，二來小面積對準的問題也比較少；只是要曝滿整片晶圓。 可能要往復花上數十次對準→曝光→移位的重複動作。 但即便如此。 由