於每次對準→曝光→移位這個過程僅費時1秒左右，一片晶圓的總曝光時間仍控制在1分鐘以內。 而保持了工廠的高投片率　（high　through…put；即單位時間內完成製作之矽晶片數。 ）雖然不知道貴廠的晶圓是幾寸地，但是我覺得你們最好還是一開始就使用步進機，畢竟也可以為後面積累一點經驗。 ”小白同志是難得地說了幾句誠懇話，不過他說得也確實有道理，雖然龍騰一下子上馬6寸的專案有困難，但就像小白說地一樣，經驗！裝置的使用也是需要經驗的！張國棟認同的點了點頭，主管晶圓的屠紅剛博士那雙眼睛又開始發起光來，本來自己手下的都去龍晶電子去實習了讓他這個光桿司令是很不爽的，不過在聽說張國棟要重新建設一座新的晶圓廠後他馬上開心了起來，以後自己也就是一方諸侯了，現在又聽說要買好裝置，他當然高興！

“第四塊兒是光阻塗布　。 說實在的，這塊兒很重要。 晶圓上微米厚度等級的光阻，是採用旋轉離心（spin…coating）的方式塗布上去。 其典型程式包括：晶圓表面前處理：即在150°C下烘烤一段時間。 若表面無氧化層，要另外先上助粘劑，如HMDS，再降回室溫。 換言之，晶片表面在塗敷光阻前要確保是親水性。 第二步是送晶圓上真空吸附的轉檯，注入光阻，開始由低轉速甩出多餘的光阻並均布之，接著以轉速數千轉每秒，減薄光阻至所需厚度。 第三步將晶圓表層光阻稍事烤乾定型，防止沾粘。 但不可過幹過硬，而妨礙後續的曝光顯影，這也是個度的問題，需要你們去反覆實驗，不可能一蹴而就，這沒有一個固定的標準。 一般光阻塗布機的塗布結果是厚度不均。 尤其在晶圓邊緣部份，可能厚達其它較均勻部份的光阻3倍以上。 另外，為了確保光阻全然塗布到整片晶圓，通常注入光阻的劑量