廠。 我想世界上應該還沒有一個廠具備我們這樣地條件吧。 ”小白說完帶著一點得意和挑釁的眼神望著張國棟他們，可惜張國棟他們來之前可是做足了功課的，要說晶片大戶。 那絕對是Intel獨霸天下，可要說晶圓廠，那就不是Intel一言堂了，所以我們的鐘志華先生就有話說了，“雖然貴公司在晶圓生產方面達到了一個很高的產量，但是日本不是還有東芝，NEC等一系列公司的晶圓產能都比你們高麼？”

到底還是20多歲的年輕人，像張國棟這樣心理年齡達到五十歲的老傢伙就不會去在意這些虛名。 他吹你只管讓他吹就是了，又不會少一塊肉，又不是什麼涉及到祖國和民族尊嚴地事情，他吹得越猛，不是越方便自己悶聲發大財麼。 不過既然自己的員工已經開了口，自己這個做老闆的當然要為他們出頭了。 不然這些鬼佬還真以為自己這些人是什麼都不知道的鄉巴佬呢。 於是張國棟接過話說到。

“沒錯，日本的NEC在這方面的確是走上了貴廠地前面，要知道這個時候的日本可是號稱的經濟要很快的趕超你們美國！NEC的錢可是多到用不完呢，嘿嘿。 ”張國棟這傢伙又在利用美國佬的民族自尊心，唉，雖然美國佬是徹頭徹尾的沒有民族的傢伙，可好歹人家長年累月的站在世界最高位，雖然旁邊還有一群伊萬在虎視眈眈，可美國佬除了害怕他們的核武器以外還真什麼都沒有怕過。 現在竟然跳出了個不知死活地小日本，這可真刺痛了這些山姆大叔那高傲地心。

果然。 張國棟一提小日本。 眼前這位標準的撒克遜後代要不是身上穿著無塵衣可就真要跳起來了，打人不打臉。 張國棟這傢伙太壞了，人家最出名地企業紛紛被小日本給買下了，而Intel在儲存器市場更是被人打得落花流水。 要不是小日本孤寂美國的軍事實力，不得不向山姆大叔的核武低頭，計算機市場鹿死誰手還不知道呢。

不過怎奈張國棟他們是說的是實話，在真理面前總是沒法反駁的，所以我們的小白同志一張臉，即使隔著一層膜也能讓人看見那臉紅得滴血了。 真是難為他了，只見他努力平息了一下自己的心情，嘴裡還不斷的唸唸有詞，或許是說的衝動是魔鬼，衝動是魔鬼，誰知道了。 龍騰的這群傢伙也不為幾甚，畢竟，無論怎樣人家總比自己的龍騰強多了吧，愉悅了一下自己也就罷了。

“對不同晶面走向的晶圓而言，氧化速率有異：通常在相同成長溫度、條件、及時間下，｛111｝厚度≧｛110｝厚度＞｛100｝厚度。 注意，前面已經說過晶向和晶種了。 一般的新廠經常不會注意到晶向對氧化速率的影響。 導電效能比較好的的矽晶氧化速率較快。 適度加入氯化氫氧化層質地較佳，但氯化氫比較容易腐蝕管路，這需要很強的經驗才能處理好這之間的平衡，所以新廠一般比較少用，而且我們Intel也馬上就要淘汰這種技術了。 ”

“接下來我就要給你們講講氧化層厚度的量測了，測量可分破壞性與非破壞性兩類。 破壞性測量是在光阻定義阻絕下。 泡入緩衝過地氫氟酸（BOE，Buffered　Oxide　Etch，系　HF與NH4F以1：6的比例混合而成的腐蝕劑）將顯lou出來的氧化層去除，lou出不沾水的矽晶表面，然後去掉光阻，利用表面深淺量測儀（surface　profiler　or　alpha　step），得到有無氧化層之高度差。 即其厚度。 而非破壞性的測厚法，以橢偏儀　（ellipsometer）　或是毫微儀（nano…spec）最為普遍及準確。 前者能同時輸出折射率（refractive　index；用以評估薄膜品質之好壞）及起始厚度b與跳階厚度a　（總厚度　t　=　ma　＋　b），實際厚度　（需確定m之整數值），仍需與製程經驗配合來判斷。 所以我才說即使把我們Intel所有的機器搬過去你們也不一定能創造出我們Intel一樣地奇蹟，畢竟，最重要的還是人。 不同厚度地氧化層會顯現不同的顏色，且有2000埃左右厚度即迴圈一次的特性。 有經驗的可單憑顏色而判斷出大約的氧化層厚度。 而我們Intel就有大量的技術人員能憑著一雙眼睛判斷出來。 不過如果超過1。5微米以上的厚度時，氧化層顏色便漸不明顯。 ”

小白同志給張國棟他們一口氣介紹了這麼多也算難得了。 雖然在關鍵地方語焉不詳，以及習慣性地跳躍省略，但結合著面前充滿了現代化美感的裝置和廠房