��1。5微米的生產線，那麼就在細節上下功夫！

隨著小白同志的帶領，張國棟他們進入到矽晶圓的製作室，矽晶圓是一切積體電路晶片的製作母材料。

“我們Intel採用的是柴可拉斯基拉晶法（CZ法），你們看，現在機器正在進行拉晶，首先要將特定晶向的晶種浸入過飽和的純矽熔湯中，然後同時旋轉拉出，矽原子便會依照晶種的晶向，乖乖的一層層往上漲，你們看，那兒，就是得到的晶棒。 當然我們Intel是不會使用這種原始的晶棒的，我們一般會採用FZ法將之再結晶，將雜質逐出，提高純度與阻值。 ”

“各位，看看這裡吧，這是對晶棒進行機械加工修邊，畢竟剛剛拉出的晶棒外徑可不會一致，修完邊後我們便用X光繞射法定住主切面的所在，磨出該平面，再以內刃環鋸，削下一片片的矽晶圓。 最後經過粗磨　（lapping）、化學蝕平　（chemical　etching）　與拋光　（polishing）　等程式，得出具表面粗糙度在0。3微米以下拋光面之晶圓（至於晶圓厚度，與其外徑有關）　。 ”

“各位，我給你們講解得這樣細緻就是知道，即使給你們我們Intel一模一樣的裝置你們也不可能複製我們Intel的奇蹟，要知道我們做到今天這一步可是經過了快20年的積累，有的時候經驗這個東西不是你想學就能學會的。 你們看，如此現代化的裝置多麼令人迷醉，那麼是擁有那麼迷人的藝術氣息，各位，難道你們不感嘆麼？”看得出，該小白是個裝置狂，不過張國棟對於他說得也微微贊同，確實，即使將Intel的裝置原樣不動的搬到中國也同樣生產不出達標的晶圓，說到底還是人的因素，經驗這東西是需要摸索和沉澱的。 看看後世大眾和上汽的合作，一模一樣的零件就是生產不出讓人滿意的質量的汽車就可以知道，其實無論現代化程序有多高，人才是決定一切的因素。

“接下來，我會給你介紹一些裝置，希望能讓你們有所收穫。 ”！~！

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第一百三十四章：開眼界

“我已經聽我們Boss說了，你們中國目前也是有晶圓廠的，那麼有些東西我就省略不講了。 下面我就講講你們面前這座氧化爐吧。 大家知道，對矽半導體而言，只要在高於或等於1050℃的爐管中，通入氧氣或水汽，自然可以將矽晶的表面予以氧化，生長所謂幹氧層（dryz/gate　oxide）或溼氧層（wet　/field　oxide），當作電子元件電性絕緣或製程掩膜之用。 氧化是半導體制程中，最乾淨、單純的一種；這也是矽晶材料能夠取得優勢的特性之一。 矽氧化層耐得住850℃　~　1050℃的後續製程環境，是因為該氧化層是在前述更高的溫度成長；不過每生長出1　微米厚的氧化層，矽晶表面也要消耗掉0。44微米的厚度。

氧化可以說是所以後續工藝的基礎，矽氧化的質量決定了後續晶圓加工的質量，所以我們在氧化製程過程中也會遵循一些特點，當然，這也是我們Intel的獨門訣竅。 ”說完，小白同志在仔細觀察張國棟他們這群人的反映，讓他得意的是這群來自中國的土包子果然都豎起了耳朵，嘿嘿，真以為獨門訣竅是這麼好學的麼，即使告訴他們一點經驗也無關緊要吧，不過當他看到張國棟那種淡然的表情又惱怒起來，心中更是湧起了一定要給張國棟一個震撼看看的情緒，這也讓他不知不覺中將很多原本不打算講地事情給講了出來。 所以，衝動是魔鬼啊。

“氧化層的成長速率不是一直維持恆定的趨勢，製程時間與成長厚度之重複性是較為重要的考量。 後長的氧化層會穿透先前長的氧化層而堆積在上面。 換句話說，氧化所需之氧或水汽，勢必也要穿透先前成長的氧化層到矽質層。 所以如果要生長出更厚地氧化層，遇到的阻礙也越來越大。 一般而言，很少成長2微米厚以上之氧化層。 注意。 是2微米，這還是經過我們Intel苦心鑽研地結果。 以前連2微米都很難達到。 幹氧層主要用於製作金氧半（MOS）電晶體的載子通道（channel）；而溼氧層則用於其它較不嚴格講究的電性阻絕或製程罩幕（masking）。 前者厚度遠小於後者，1000~　1500埃已然足夠。 至於如何選擇的問題就要根據自身的條件來調整這個比例了，畢竟對於一個如此燒錢的產業來說，產能在短時間內幾乎是穩定的，連我們Intel也沒辦法做到半年一個