小尺寸結構。

加工特徵尺寸非常大的圖案的時候，又因為投影範圍有限，無法覆蓋足夠大面積，也無法準確複製大尺寸結構。 其次是成本高。

傳統光刻機因為技術限制，對原材料要求苛刻，符合加工條件的原材料價格一般都比較貴。 增加了加工成本。

刨除遠場光刻技術的缺點。

第一代光刻機和出口閹割本光刻機，還有第二個致命缺點，就是加工的週期比較長。 處理複雜圖案的時候，需要多次對準，多次曝光。

就延長了加工週期。 增加了時間成本。

要是晶片需要多層結構或多個工藝，加工中心還會進一步延長，導致加工的時間成本更高。

，！

第三個缺點是對使用環境的要求。

傳統光刻機需要潔淨的加工車間，以保證光刻膠和樣品不受汙染，就需要高規格的加工車間。 高潔淨度車間的成本，也會經常在加工成本內。

進一步增加了晶片的成本。 同時。

第一代光刻機和出口版的光刻機，維護也相對複雜，也變相增加了晶片成本。 總的來說。

00 第一代光刻機和出口版光刻機，加工精度低，加工成本高，操作不方便，維護起來也很複雜。 註定了第一代和出口版肯定會被淘汰。

但肯定不是現在。

第二代光刻機採用的近場光刻技術，把光刻膠和掩膜之間的距離，縮小到只有光波長的尺寸。 距離近。

更易實現高解析度。

更容易提升加工的精度。

儘管近場光刻技術精度已經很高，萬興邦還是不太滿意。 其一。

近場光刻技術複雜度高，操作難度大。

需要高精度探針，或者接觸式探頭，對控制和操作的精度要求也很高。

高精度探針製作難度大，成本高，對製造工藝和裝置要求有些苛刻，這還只是其中一個缺點

近場光刻技術的第二個缺點是速度! 這才是萬幸幫最在意的。

近場光刻技術工作的時候，需要逐點或逐行轉移，相比接觸式光刻機技術，速度肯定慢很多。。 這是機制上的問題。

不是光改善其他技術就能追上的。

逐點或逐行轉移的加工機制，對於需要通量高和大面積圖案的，適用性很低。 而這是未來的趨勢。

未來的晶片越來越複雜，需要的通量越來越高，也會越來越大，普通近場光刻技術逐漸過時。 同時。

近場光刻技術由於自身短板，對加工晶片的尺寸和形狀也有一定限制。

在加工一些特殊晶片的時候，速度更慢，效率更低，還會降低成功率，增加晶片的製造成本。

這些都是內因。 還有外因。

近場光刻技術對操作者的要求很高，因為需要12高精度調整和控制。 這就要求對操作者進行嚴格培訓。

培訓的成本，最終也會加到晶片的成本上。

而且一旦出意外，操作員出了問題，想臨時調其他操作員過來根本不可能，因為要求太高了。 對此。

萬興剛想出改進的辦法。

使用接觸式近場光刻技術彌補短板。

直到萬興邦穿越之前，繁華年代的光刻機，使用的就是接觸式近場光刻技術。 是他知道的。

最先進的光刻技術。

剛下線的第二代光刻機，無論透鏡技術，還是光刻技術，都超越了時代，達到繁華年代的標準。

接觸式近場光刻技術，就是近場光刻技術的改良型。

藉助接觸探針，或者探針陣列，與光刻膠直接接觸，把複雜的圖案轉移到光刻膠上。

零距離接觸，排除其他干擾，能實現更高的解析度，更快的轉移速度，以及更高的可靠性。 穩定性。

尤其是用於高精度和通量高的應用。

遠遠超過第一代光科技的解析度限制，在解析度方面實現了質的飛躍。

在奈米制造、生物學和光學等領域，都有著非常廣泛的應用前景，也是多個領域發展的前提。 要是沒有高精度晶片，很多領域是發展不起來的。

“接觸式近場光刻技術，相比傳統的近場光刻技術，最少能提升百分之三十到四十的加工速度。” “節約時間成本，同時能提高精度，提高成品率。”

“第二代光刻機技術，就算一直用到本世紀末，也不會落後，其他國家也根本沒