切實可行地應用於戰爭的完善水平。

當然，在基礎材料科學和微電子技術取得每一次新進展都會為減小紅外探測系統體積、重量和功耗，提高

其靈敏度和熱影象質量提供發展餘地。但紅外敏感材料有一通病它們通常需要製冷至低溫才能充份發

揮其探測功能，製冷要求從後勤方面制約了系統的應用。以最常用的氣體制冷法為例，使用氣體制

冷技術就意味著貯氣瓶必不可少，即使貯氣瓶問題解決，還需要能在野外對貯氣瓶進行再次充氣的裝置。

在戰場條件下，再次充氣裝置，無論是大容量的氣體供應器還是空氣壓縮機和提純系統，並不是總能得到

的，尤其是在小規模部隊遠離支援梯隊的情況下。使用壓縮氣瓶的另一個缺陷是它們可能會帶來意想不到

的危害，比如貯氣瓶遭受子彈或破片打擊時可能導致爆炸而帶來危害。所以，研製不需要製冷的系統意味

著紅外探測技術上的第二次突破。

上世紀末，英國評估與研究局發明了一種單晶銻化銦生長技術彌補了這一遺憾。其成果之一就是研製

了工作在室溫下的新型熱像儀部件和子系統，包括紅外探測器和可用於熱像儀處理的高速電晶體，從而有

望實現室溫成像。另外，銻化銦與許多單晶銻化銦電晶體的突出優點是具有極高的電子遷移速度，達到了

在砷化鎵中所允許的速度的五倍。而砷化鎵則有比目前廣泛應用的矽半導體材料快三至四倍左右的電子遷

移速度。通常認為，高速電子遷移主要與開發高速計算機有關，但實際上它有更廣泛的應用，尤其是在專

用處理器領域，比如在熱像儀中，處理速度和功率就非常重要。另外，電子若能輕易地穿過半導體，還意

味著可降低所要求的電功率，導致生產出更輕、更小的器件和電池裝置，因此可直接提高系統輕便性。更

具現實意義的是，英國防務評估與研究局發明的這一晶體生長技術具備可大批次生產的優點，能以相對低

廉的成本大量製造探測器陣列。從技術角度看，該晶體生長法有可能生產出具有高度專用性和精確性的探

測器元件。

中國國防科技工作者在十幾年前也投入這一迅速發展的領域，很快使解放軍的紅外探測系統在效能達

到世界水平。已能生產面積小於３０平方微米左右的１０００DangerCode；１０００像元探測器陣列，這意味著熱圖

像具有更高的銳度和清晰度，更易於識別目標。另外，由於採用了基於銻化銦的新器件，其溫度靈敏度有

顯著提高，目前達到了分辨小於０．０１度的溫