“這是你們設計的方案？”

王中軍將手裡的檔案翻的嘩嘩作響，邊看邊忍不住皺起了眉頭來。

“用腐蝕劑的各向同性來製作探針，你們考慮過這裡面的工作量嗎？”

“使用可控制侵蝕速度的硝酸和氫氟酸，我們計算過可能的配比，至少要做上千組實驗。”

鍾大華的聲音沒有多少波動，昨晚吳牧提出這個思路之後，他們倆就已經透過代理公司蒐集了相關的資訊，但情況卻有些出人意料。

在美國的資料庫裡，並沒有與這個思路相關的技術。

事實上從八十年代起，溼法蝕刻在美國就已經屬於落後技術了。隨著製程技術的提高，現在業界主流已經是幹法蝕刻更勝一籌，因為幹法蝕刻的各向異性更好，晶片的成品率自然更高。

也就是說在溼法蝕刻這個路線上，業界並沒有走到盡頭就更換了路線。

美國人技術比較先進，八十年代之後製程技術發展到微米級，為了克服溼法蝕刻的缺點，應用材料公司直接推出了幹法蝕刻的PVD技術，乾脆另開爐灶了！幹法蝕刻是用等離子體直接撞擊晶圓，從化學反應變成了物理反應，乾脆沒有各向同性的問題了。

當然，後來幹法蝕刻的物理性蝕刻也不能滿足需求，於是業界又把溼法蝕刻撿回來了。但那也是利用離子蝕刻機將化學腐蝕劑離子化之後，在PECVD基礎上搞的溼法蝕刻。

各向異性的問題，早在八十年代美國人就解決了。

如今鍾大華和吳牧想要走回頭路，其實是挑了一條充滿荊棘的小路在走。

想要參考、借鑑，可根本就沒有先例可循。這樣一來，難免讓人有些心理打鼓了。

不過鍾大華臉上根本看不出懷疑和忐忑，面對上千組實驗需要的工作量，彷彿就像在說下班去哪裡買菜一樣。

“上千組實驗？我看可不夠！”

王中軍搖了搖頭，哼了一聲：“這是你們計算配比和時間控制需要的實驗數量，但是你想過沒有，我們要的不是一根普通的針尖，而是一根50奈米寬的針尖！除了時間、配比以外，甚至一丁點微弱的空氣流動，都能讓你的實驗結果出現偏差。除此之外，溫度、溼度、空氣雜質，這些還是能想到的干擾，真正做實驗的時候，你會發現更多想都沒想過的干擾源會出現……這些都必須一一排除，一千組實驗你能保證出結果嗎？”

“我保證……不了。”

鍾大華的聲音仍然沒有起伏，冷靜的說道：“但矽探針本來就沒有先例，甚至是原子力顯微鏡探針，我們自己都還不能生產。可這個專案只給了我們兩個月時間，根本沒有按部就班實現的可能。”

“說實話，我認為吳牧這個思路簡直是為我們量身定做。溼法蝕刻做探針雖然沒有成熟技術可以借鑑，但各種腐蝕劑的效能資料還是很豐富的。這個思路最大的優勢，就是不需要過往的基礎，非常適合技術跳躍式發展。不管是亞微米還是微奈米，50奈米甚至是10奈米，甚至有一天1奈米的探針，只需要加大投入就一定能摸索出實現的引數。”

“我承認我們有賭的成分。”

“這個路線成功了，我們可以拋開當前的技術路線，走一條完全不同的奈米光柵製造體系。”

“它確實沒有人實現過，但我們講科學，它從理論上有成功的可能。”

“而且這種可能，也只有我們新科能夠實現。”

“哦，這怎麼說？”王中軍其實對這個思路還是滿意的，確實很難，但有實現的可能。

但要說只有新科能實現，這又憑什麼啊？憑胡文海長得帥嗎？

“這方面我是有依據的。”

鍾大華說的信誓旦旦，王中軍明顯興趣更大了。

“在搜尋相關文獻的時候，我們發現了一個情況。實際上和美國資料庫比起來，方案中需要的資料反而更多來自研究院的資料中心。”

“各種腐蝕液配比的研究資料，近十年來反而是我們自己的研究院資料庫更多。”

“其實這並不難理解，因為我們知道，現在積體電路的製程已經進入了亞微米級，溼法蝕刻早就已經不適應需求了。但在功率半導體上，製程卻並不是越小越好。事實上IGCT的製程基本都在3微米以上，IGBT的製程也是在1到3微米之間。”

“在業界普遍升級幹法蝕刻之後，新科作為功率半導體的主要生產商，實際上仍然在大量的採用溼法蝕刻，並且持續多年在溼法蝕刻技術上投資改