網路輿情的事情章珊處理得太漂亮了，只是大家對於彭一高買歌，買劇本，出賣半導體技術給國外，打壓國內同行事情並沒有平息。

網路上出現了大量抵制高瑤時代，抵制合作友商華唯。

很顯然這是有預謀的針對。

我覺得問題還是出在了打斷了國外的壟斷的光刻技術。

光刻技術是指在光照作用下，藉助光致抗蝕劑(又名光刻膠)將掩膜版上的圖形轉移到基片上的技術。

在半導體晶片製作過程中，首先採用ic版圖設計軟體，設計出ic製造工藝所需要的各個工藝層次的版 圖，透過圖形發生器(光學、 鐳射、電子束圖形發生器等)製備出各工藝層次的光掩模版，然後採用光刻機把掩模版的圖形照射到塗覆有光致抗蝕劑(光刻膠)的矽片表面，再進行曝光後光刻膠的顯影等工序，在矽片表面形成可選擇性刻蝕的膜層，最後透過刻蝕機把設計版圖的資料轉移到矽片表面的整個過程，稱為光刻工藝。

目前藍星最先進的光刻機是華夏的接近式光刻機，這種光刻技術中的掩膜版與晶圓表面光刻膠並未直接接觸，留有被氮氣填充的間隙。

優點是最小分辨尺寸與間隙成正比，間隙越小，解析度越高。缺點是掩膜版和晶圓之間的間距會導致光產生衍射效應，因此接近式光刻機的空間解析度極限約 為01μ (藍星資料、地球世界是2μ)，藍星的半導體材料路線，從一開始就轉向了化合物，而且藍星世界材料的物理和化學特性遠比地球世界材料優異, 018μ 的磷化銦晶片與地球世界32n製程純矽晶片表現相當。

藍星世界的華夏，即便掌握了世界領先的接近式光刻技術，但是這種光刻技術已經接近曝光極限。018μ 製程的磷化銦晶片(性 能表現相當於地球世界32n製程純矽晶片)生產工藝經過幾次改良，良率仍然低於 60 (581) ，生產成本居高不下，進一步開發微小尺寸半導體器件遇到了前所未有的瓶頸，需要開發全新的工藝來解決這個問題。

充分消化和理解地球世界半導體技術的彭一高，決定一步到位，直接開發浸潤式光刻機。

這種光刻裝置在掩膜版和光刻膠之間採用了具有縮小倍率的投影成像物鏡，有效提高了解析度。

採用動態掃描方式的步進掃描，掩膜版相對晶圓同步完成掃描運動，完成當前曝光後，至下一步掃描場位置，繼續進行重複曝光，直到整個晶圓曝光完畢。

我之所以沒有考慮乾式光刻，因為光從投影物鏡射出，由玻璃介質進入空氣介質，會發生衍射，光角度發生變化，最終成像於晶圓表面。隨著線寬不斷縮小，衍射效應不斷增加，需要增大投影物鏡直徑來接 受更多的光，這導 致物鏡內聚焦的光角度越來越大， 再經過折射效應，射出投影 物鏡的光角度接近水平，無法成像。嚴重限制了半導體器件特徵尺寸的進一步微縮。

而浸潤式光刻技術使光刻水平進一步提高:投影物鏡下方和晶圓間充滿水，由於水的折射率和玻璃接近(在193n波長中,折射率空氣=1，水=144，玻璃約為15)，從投影物鏡射出的光進入水介質後，折射角較小，光可以正常從物鏡中折射出來。arf光源加浸潤技術實際等效的波長為193n/144=134n。

另外，這種光刻技術利用多重曝光工藝實現更小線寬。

考慮到藍星的半導體刻蝕、沉積等 工藝與地球世界相差甚遠，我最終放棄了sadp，決定採用lfle工藝進行多重曝光。

lfle (litho-freeze-litho-etch光刻-固化- 光刻-刻蝕) :原理是將第二層光刻膠加在第一層已被化學凍結但沒去除的光刻膠上，再次進行光刻，形成兩倍結構。

lflf技術的特點就是流程簡單，缺點是兩次光刻之間存在對準問題，如果工藝不夠嚴謹，每次曝光的線寬偏差和兩次曝光圖形之間套刻誤差將圖形區域性週期性的起伏。

之前，我帶領團隊開發的套刻測量裝置便派上了 用場(一定程度上解決了套刻誤差的問題)。

除此之外，我還牽頭開發了乾式平面電機雙工件臺、塞曼-雙折射雙頻鐳射干涉儀(實現光刻機在光刻過程中對晶圓、物鏡系統、工作臺位置的超精準定位)、直線式勞埃透鏡鍍膜裝置(鍍膜精度控制在01 奈米)，018μ 到40n (效能表現相當於地球世界7n製程純矽晶片)各個製程節點的半導體掩膜、浸潤系統、arf光刻膠……